論文発表
院生の三村啓人さんの研究成果をエルゼビア社のMaterials Science in Semiconductor Processing（半導体プロセスにおける材料科学）誌に論文発表しました．
Diffusion and trapping of silicon in wurtzite gallium nitride
ウルツ鉱型窒化ガリウムにおけるシリコンの拡散
パワーデバイス半導体の窒化ガリウム（GaN，通称“ガン”）はすでに実用化される素材です．Type-C USBの急速充電器（商品情報にGaNと記されています）が身近な例です．
GaNをn型の導電体にする添加元素がシリコン（Si）です．概してGaNの拡散係数のデータは必ずしも十分ではなく，Siも例に漏れません．この研究では過去の研究よりも低い温度の拡散係数を測定しました．そして，コラム界面や転位などの欠陥がある場合に，Siの拡散が著しく遅延することも併せて明らかにしました．欠陥に捕獲（トラップ）されて安定化するのでしょう．予期せぬ発見でした．
† 九州工業大学の石丸先生，京都工芸繊維大学の坂根先生，大阪大学産研の鈴木先生，そして東ソー株式会社との共同研究の成果です．
